做一個山東潔凈凈化車間的規劃，必須實現恰當掌控干凈維度的溫濕度。隨著自然環境的不斷好轉，他們對空氣潔凈度的建議不斷提升，潔凈施工對溫濕度的建議也越來越嚴苛。
確切陶瓷對濃度的建議將在前面列舉，但當作通常理論，由于研磨精確度越來越細致，對濃度震蕩區域的建議越來越大。比如，在大規模集成元件制造的電子束陶瓷之中，建議當作掩模物料的玻璃窗與硅片的熱膨脹常數之差越來越大。
山東潔凈凈化車間如果半徑為100um的硅片的濃度之上升1度，就會引發0.24um的非線性收縮。因此，它必須具備±0.1度的靜止濃度。同時，建議溫度數值一般較高，因為出汗之后會對商品導致水污染，特別是積體電路工廠怕鉀，不可少于25度。
低溫度會造成更余的難題。當相當溫度小于55%時，加熱管道壁會產生凝結海水。如果爆發在光學元件或元件之中，會引發各種空難。當相當溫度為50%時，難銹蝕。
另外，山東潔凈凈化車間溫度過低時，附著在硅片地表的灰塵會被氣體之中的氧原子物理附著在硅片地表，很容易去除。相對溫度越低，移除附著力越艱難。然而，當相當溫度高于30%時，由于電磁的活性，光子難附著在地表，大量半導體器件難爆發穿透。晶圓制造的最佳濃度區域為35-45%。